Физика полупроводников

Описание программы:

ch
Направление подготовки:
1.3.11
Физика полупроводников
ch
Научная отрасль:
ch
Институт:
Институт естественных наук и математики
ch
Уровень образования:
Аспирантура
ch
Год(ы) набора:
2022-2024
ch
Форма и срок обучения:
Очная: 4 года
ch
Язык обучения:
Русский

О программе. Основой специальности «Физика полупроводников» является теоретическое и экспериментальное исследование полупроводниковых соединений и структур в зависимости от состава, дефектности, внешних воздействий.

В ходе освоения программы аспирант занимается подготовкой диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук в области экспериментальной или теоретической физики полупроводников. Научная деятельность аспиранта заключается в выборе объекта исследований, выборе адекватных поставленным задачам методов, проведении исследований, подготовке публикаций, участии в научных конференциях, школах и семинарах.

В период освоения программы аспирант изучает дисциплины, направленные на подготовку и сдачу кандидатских экзаменов: иностранный язык, историю и философию науки, специальную дисциплину.

Тип программы: научно-исследовательский. 

Направления исследований

Выпускник аспирантуры сможет осуществлять профессиональную деятельность в областях, требующих применения фундаментальных знаний в области физики полупроводников. В их числе:

Физические основы методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности.

Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах.

Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.

Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе.

Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах.

Неравновесные явления в полупроводниках и структурах. Электронная плазма.

Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах.

Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности.

Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах.

Разработка математических моделей и прогнозирование изменения физических свойств веществ в зависимости от внешних условий.

Смежные специальности:

1.3.8. – Физика конденсированного состояния

1.3.10. – Физика низких температур

1.3.20. – Кристаллография, физика кристаллов.

1.4.15. – Химия твердого тела

2.6.6. – Нанотехнологии и наноматериалы

2.6.17. – Материаловедение (по отраслям)

Диссертационный совет

УрФУ 1.3.04.16 (физико-математические науки)

1.3.11. Физика полупроводников

Примеры защищенных в 2021-2023 гг. кандидатских диссертаций

Коробейников И.В. Термоэлектрические явления в твердых растворах Si-Ge и (Bi,Sb)2(Te,Se)3 при высоком давлении

Боголюбский А.С. Квантовые гальваномагнитные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах на основе HgTe и InGaAs

Актуально:

Программа вступительных испытаний:
Ссылка на документ
Ссылка на документ
Система Orphus